三星电子联席首席执行官Kye-Hyun Kyung在周三举行的年度股东大会上表示，预计今年先进芯片封装业务的营收将达到或超过1亿美元。三星电子在去年将先进芯片封装业务设为事业部，并预计从今年下半年开始该公司的投资将得到真正的结果。

　　Kye-Hyun Kyung还表示，三星电子的存储芯片业务今年的目标是实现比市场份额更大的利润份额。数据提供商TrendForce的数据显示，去年第四季度，三星电子在用于科技设备的DRAM芯片市场的份额达到45.5%。

　　据悉，三星电子在2月底表示，已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储芯片(HBM)。三星电子表示，最新的HBM3E 12H产品将HBM3E DRAM芯片堆叠至12层，是迄今为止容量最大的HBM产品。据悉，HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量也达到了36GB;相比三星电子8层堆叠的HBM3 8H，HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。

　　三星电子表示，已经开始向客户提供HBM3E 12H的样品，并计划在今年上半年批量生产该产品，确保该公司在人工智能需求急剧增加的背景下在高端存储芯片领域的竞争优势。

　　Kye-Hyun Kyung表示，下一代HBM产品——HBM4——可能在2025年发布，具有更多定制设计。三星电子将利用存储芯片、芯片代工和芯片设计业务集中在一起的优势来满足客户需求。

　　在回答股东关于三星电子最近在当前HBM市场上与竞争对手SK海力士相比遭遇的挫折的问题时，Kye-Hyun Kyung表示：“我们已经做好了更好的准备，以防止未来再次发生这种情况。”

　　Kye-Hyun Kyung还补充称：“三星电子期待计算快速链接(CXL)和内存处理(PIM)等正在开发的其他用于人工智能的内存产品很快就能取得实际成果。”