光刻机是在半导体范畴必不可少的设备，不管出产制作什么样的芯片，都脱离不了光刻机，假如说航空发动机代表了人类科技范畴开展的尖端水平,那么光刻机则是半导体工业界最为耀眼的明珠，其具有技能难度最高、单台本钱最大、决议集成密度等特色。

　　在整个芯片制作工艺中，简直每个工艺的施行，都离不开光刻的技能。光刻也是制作芯片的最关键技能，他占芯片制作本钱的35%以上。

　　芯片制作中，晶圆必不可少，从二氧化硅（SiO2）矿石，比方石英砂顶用一系列化学和物理锻炼的办法提纯出硅棒，然后切割成圆形的单晶硅片，这便是晶圆。

　　晶圆是制作各式电脑芯片的根底。咱们可以将芯片制作比较成用积木盖房子，藉由一层又一层的堆叠，完结自己期望的造型（也便是各式芯片）。可是，假如没有杰出的地基，盖出来的房子就会歪来歪去，不合自己所意，为了做出完美的房子，便需求一个平稳的基板。对芯片制作来说，这个基板便是晶圆。

　　光刻技能是一种精细的微细加工技能。惯例光刻技能是选用波长为2000～4500埃的紫外光作为图画信息载体，以光致抗光刻技能蚀剂为中心（图画记载）前言完结图形的改换、搬运和处理，终究把图画信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。

　　光刻技能便是把芯片制作所需求的线路与功用区做出来。简略来说芯片规划人员规划的线路与功用区“印进”晶圆之中，相似照相机照相。照相机拍照的相片是印在底片上，而光刻刻的不是相片，而是电路图和其他电子元件。

　　就好像本来一个空空如也的大脑，经过光刻技能把指令放进去，那这个大脑才干够运作，而电路图和其他电子元件便是芯片规划人员规划的指令。

　　光复印工艺：经曝光体系将预制在掩模版上的器材或电路图形按所要求的方位，准确传递到预涂在晶片外表或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。

　　刻蚀工艺：运用化学或物理办法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片外表或介质层除掉，然后在晶片外表或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形彻底一致的图形。集成电路各功用层是立体堆叠的，因此光刻工艺总是屡次重复进行。例如，大规模集成电路要经过约10次光刻才干完结各层图形的悉数传递。

　　在光刻技能的原理下，人们制作了光刻机，光刻机经过一系列的光源能量、形状操控手法，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学差错，将线路图成比例缩小后映射到晶圆上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后运用化学办法显影，得到刻在晶圆上的电路图（即芯片）。

　　一般的光刻工艺要阅历硅片外表清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以持续涂胶、曝光。越杂乱的芯片，线路图的层数越多，也需求更精细的曝光操控进程。现在先进的芯片有30多层。

　　可以说光刻决议了半导体线路的精度，以及芯片功耗与功能，相关设备需求集成资料、光学、机电等范畴最尖端的技能。

　　光刻机的品种有许多种，依照用处可以分为好几种：有用于出产芯片的光刻机；有用于封装的光刻机；还有用于LED制作范畴的投影光刻机。用于出产芯片的光刻机是我国在半导体设备制作上最大的短板。

　　由于光学光刻是经过广德照耀用投影办法将掩模上的大规模集成电路器材的结构图形画在涂有光刻胶的硅片上，经过光的照耀，光刻胶的成分发生化学反应，然后生成电路图。约束制品所能获得的最小尺度与光刻体系能获得的分辩率直接相关，而减小照耀光源的波长是进步分辩率的最有效途径。

　　最早的光刻机选用触摸式光刻，即掩模贴在硅片上进行光刻，简单发生污染，且掩模寿数较短。尔后的挨近式光刻机对触摸式光刻机进行了改善， 经过气垫在掩模和硅片间发生细微空地，掩模与硅片不再直触摸摸，但受气垫影响，成像的精度不高。

　　依据所运用的光源的改善以及双作业台、沉溺式光刻等新式光刻技能的立异与开展，光刻机阅历了 5 代产品的开展，每次光源的改善都显着提升了升光刻机的工艺制程水平，以及出产的功率和良率。

　　现在广泛运用的光刻机分为干式和浸没式，45nm以下的高端光刻机的商场中，ASML是现在商场的龙头，占有 80%以上的比例。

　　而现在最为先进的光刻机叫EUV光刻机，现在华为麒麟990 5G版初次选用了7nm EUV技能，EUV技能也叫紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技能。详细为选用波长为13.4nm 的紫外线 代光刻机运用的光源都归于深紫外光，而5代EUV光刻机则归于极紫外光。

　　依据瑞利公式（分辩率=k1·λ/NA），这么短的波长可以供给极高的光刻分辩率。在1985年左右现已有半导体职业科学家就EUV技能进行了理论上的讨论并做了许多相关的试验。

　　在摩尔定律的规则下，以及在现在科学技能快速开展的信息时代，半导体职业人员关于半导体的未来开展充溢担忧。所以便想经过新的光刻技能来对其时的芯片制作办法做出全面的改善，推进半导体职业进入新的开展。

　　光刻机龙头企业 ASML 从 1999 年开端 EUV 光刻机的研制作业，原计划在 2004 年推出产品。但直到 2010 年 ASML 才研制出第一台 EUV 原型机， 2016 年才完结下流客户的供货，比估计时刻晚了十几年。直到2019年，第一款7nm EUV 工艺的芯片 Exynos 9825 才正式商用。

　　EUV 光刻机面市时刻表的不断拖延主要有两大方面的原因，一是所需的光源功率迟迟无法到达 250 瓦的作业功率需求，二是光学透镜、反射镜体系关于光学精度的要求极高，出产难度极大。到了2020年，干流的手机旗舰芯片都将选用EUV技能。

　　受《瓦森纳协议》影响，“瓦森纳组织”规则成员国自行决议是否发放灵敏产品和技能的出口许可证，并在自愿根底上向“组织”其他成员国通报有关信息。但“组织”实际上彻底受美国操控。所以我国在前几年一向无法获取到最新的光刻机，直到2018年，中芯国际花费1.2亿美元向荷兰尖端光刻机厂商ASML订货了一台最先进的EUV(极紫外光)技能光刻机。

　　和西方国家比较，我国一向最为短少的半导体生态，而这也约束了我国光刻机的开展，像国外，IC规划厂商、晶圆体代工厂直接和光刻机进行技能交流、扶持，然后构成一条完好的产业链，具有完好的半导体生态，光刻机制作厂商可以出产出最契合IC规划厂商以及晶圆体加工厂的设备，而IC规划厂商、晶圆体代工厂对光刻机制作厂商的技能对接、扶持又促进了光刻机设备的技能开展，然后构成一个正循环。

　　比方我国台湾台积电林本坚立异性地提出浸没式光刻想象后， ASML开端与台积电合作开发第四代浸没式光刻机，并在 2007年成功推出第一台浸没式光刻机TWINSCANXT:1900i，该设备选用折射率到达 1.44 的去离子水做为前言，完结了 45nm 的制程工艺，并一举垄断商场。

　　这形成其时的另两大光刻巨子尼康、佳能主推的157nm 光源干式光刻机被商场扔掉，不只丢失了巨大的人力物力，也在产品线上显着落后于 ASML，这也是尼康、佳能由盛转衰，ASML 一家独大的重要转折点，而这一方面又稳固了台积电在晶圆代工上的龙头位置，让台积电把握了最为先进的制加工工艺，促进了台积电的开展。

　　我国商场是没有这样的半导体生态的，除了海思之外，上下流都没有在国际领先的半导体厂商进行反哺产业链，在2017年梁孟松参加中芯国际之后，中芯国际才把握了12纳米的加工工艺，与台积电还有着显着距离。

　　现在上海微电子在封装光刻机和LED光刻机范畴都获得了打破，公司的封装光刻机已在国内外商场广泛出售,国内市占率到达80%,全球市占率40%，可是用于出产芯片的光刻机现在才把握90nm光刻机，现在上海微电子在霸占45nm的工艺技能。

　　而至于曝光的我国研制成功紫光超分辩光刻机完结22纳米工艺制程，结合多重曝光技能后，可用于制作10纳米级其他芯片，纯属误读，紫光超分辩光刻机适用于特别运用，相似的运用规模是光纤范畴，5G天线，无法运用在集成电路范畴。

　　为什么造光刻机这么难，光刻机需求体积小，但功率高而安稳的光源。ASML的顶尖光刻机，运用波长短的极紫外光，光学体系极杂乱，而坐落光刻机中心的镜头，由20多块锅底大的镜片串联组成。镜片得高纯度透光资料+高质量抛光。ASML的镜片是蔡司技能打底。镜片原料做到均匀，需几十年到上百年技能沉淀，德国一些抛光镜片的工人，祖孙三代在同一家公司的同一个职位。

　　有尖端的镜头和光源，没极致的机械精度，也没有用。光刻机里有两个同步运动的工件台，一个载底片，一个载胶片。两者需一直同步，差错在2纳米以下。两个作业台由静到动，加速度跟导弹发射差不多。而我国现在还短少这样的中心器材，还需求海外进口。

　　中科院院士刘明表明尽管这些年我国在关于光刻机的许多范畴获得发展，可是整体来说国内的光刻机技能与国外技能仍旧有15到20年。

　　现在我国在蚀刻机范畴现已打破了5nm，追平与国际的距离，咱们也期望有一天咱们可以在光刻机范畴运用后发优势寻求与国际的距离。