除了先进制程之外，先进封装也成为接连摩尔定律的要害技能，像是2.5D、3D 和Chiplets 等技能在近年来成为半导体工业的抢手议题。终究，先进封装是如安在接连摩尔定律上扮演要害人物？而2.5D、3D 和Chiplets 等封装技能又有何特色？

　　人工智能（AI）、车联网、5G等运用相继鼓起，且皆须运用到高速运算、高速传输、低推迟、低耗能的先进功用芯片；可是，跟着运算需求呈倍数生长，终究要怎样接连摩尔定律，成为半导体工业的一大应战。

　　换言之，半导体先进制程纷繁迈入了7 纳米、5 纳米，接着开端朝3 纳米和2 纳米跨进，电晶体巨细也因而不断挨近原子的物理体积约束，电子及物理的约束也让先进制程的继续微缩与晋级难度越来越高。 也因而，半导体工业除了继续开展先进制程之外，也「山不转路转」地开端找寻其他既能让芯片坚持小体积，一同又保有高效能的办法；而芯片的布局规划，遂成为接连摩尔定律的新解方，异构整合（Heterogeneous Integration Design Architecture System，HIDAS）概念便应运而生，一同成为IC 芯片的立异动能。 所谓的异构整合，广义而言，便是将两种不同的芯片，例如记忆体＋逻辑芯片、光电＋电子元件等，透过封装、3D 堆叠等技能整合在一同。换句话说，将两种不同制程、不同性质的芯片整合在一同，都可称为是异构整合。 由于运用商场愈加的多元，每项产品的本钱、功用和方针族群都不同，因而所需的异构整合技能也不尽相同，商场分众化趋势逐步显现。为此，IC 代工、制作及半导体设备业者纷繁投入异构整合开展，2.5D、3D 封装、Chiplets 等如今抢手的封装技能，便是依据异构整合的主意，如漫山遍野般显现。

　　过往要将芯片整合在一同，大多运用体系单封装（System in a Package，SiP）技能，像是PiP（Package in Package）封装、PoP（Package on Package）封装等。可是，跟着智能手机、AIoT 等运用，不只需求更高的功用，还要坚持小体积、低功耗，在这样的状况下，有必要想办法将更多的芯片堆积起来使体积再缩小，因而，现在封装技能除了原有的SiP 之外，也纷繁朝向立体封装技能开展。 立体封装概略来说，意即直接运用硅晶圆制作的「硅中介板」（Silicon interposer），而不运用以往塑胶制作的「导线载板」，将数个功用不同的芯片，直接封装成一个具更高效能的芯片。换言之，便是朝着芯片叠高的办法，在硅上面不断叠加硅芯片，改进制程本钱及物理约束，让摩尔定律得以继续完成。 而立体封装较为人熟知的是2.5D 与3D 封装，这边先从2.5D 封装谈起。所谓的2.5D 封装，首要的概念是将处理器、记忆体或是其他的芯片，并排排在硅中介板（Silicon Interposer）上，先经由微凸块（Micro Bump）衔接，让硅中介板之内金属线可衔接不同芯片的电子信号；接着再透过硅穿孔（TSV）来衔接下方的金属凸块（Solder Bump），再经由导线载板衔接外部金属球，完成芯片、芯片与封装基板之间更严密的互连。

　　2.5D和3D封装是抢手的立体封装技能。（Source：ANSYS） 现在为人所熟知的2.5D 封装技能，不外乎是台积电的CoWoS。CoWoS 技能概念，简略来说是先将半导体芯片（像是处理器、记忆体等），一同放在硅中介层上，再透过Chip on Wafer（CoW）的封装制程衔接至底层基板上。换言之，也便是先将芯片经过Chip on Wafer（CoW）的封装制程衔接至硅晶圆，再把CoW 芯片与基板衔接，整组成CoWoS；运用这种封装形式，使得多颗芯片可以封装到一同，透过Si Interposer 互联，到达了封装体积小，功耗低，引脚少的作用。

　　台积电CoWos封装技能概念。（Source：台积电） 除了CoWos 外，扇出型晶圆级封装也可归为2.5D 封装的一种办法。扇出型晶圆级封装技能的原理，是从半导体裸晶的端点上，拉出需求的电路至重散布层（Redistribution Layer），然后构成封装。因而不需封装载板，不必打线（Wire）、凸块（Bump），可以下降30% 的出产本钱，也让芯片更薄。一同也让芯片面积削减许多，也可代替本钱较高的直通硅晶穿孔，到达透过封装技能整合不同元件功用的方针。 当然，立体封装技能不只有2.5D，还有3D 封装。那么，两者之间的不同终究为何，而3D 封装又有半导体业者正在选用？ 相较于2.5D 封装，3D 封装的原理是在芯片制作电晶体（CMOS）结构，而且直接运用硅穿孔来衔接上下不同芯片的电子信号，以直接将记忆体或其他芯片笔直堆叠在上面。此项封装最大的技能应战便是，要在芯片内直接制作硅穿孔困难度极高，不过，由于高效能运算、人工智能等运用鼓起，加上TSV 技能愈来愈老练，可以看到越来越多的CPUGPU和记忆体开端选用3D 封装。

　　在3D 封装上，英特尔（Intel）和台积电都有各自的技能。英特尔选用的是「Foveros」的3D 封装技能，运用异构堆叠逻辑处理运算，可以把各个逻辑芯片仓库一同。也便是说，首度把芯片堆叠从传统的被迫硅中介层与堆叠记忆体，扩展到高效能逻辑产品，如CPU、绘图与AI 处理器等。以往堆叠仅用于记忆体，现在选用异构堆叠于堆叠以往仅用于记忆体，现在选用异构堆叠，让记忆体及运算芯片能以不同组合堆叠。 别的，英特尔还研制3 项全新技能，分别为Co-EMIB、ODI 和MDIO。Co-EMIB 能衔接更高的运算功用和才能，并可以让两个或多个Foveros 元件互连，规划人员还可以以十分高的频宽和十分低的功耗衔接模仿器、记忆体和其他模组。ODI 技能则为封装中小芯片之间的全方位互连通讯供给了更大的灵活性。顶部芯片可以像EMIB 技能相同与其他小芯片进行通讯，一同还可以像Foveros 技能相同，经过硅通孔（TSV）与下面的底部裸片进行笔直通讯。

　　英特尔Foveros技能概念。（Source：英特尔） 一同，该技能还运用大的笔直通孔直接从封装基板向顶部裸片供电，这种大通孔比传统的硅通孔大得多，其电阻更低，因而可供给更安稳的电力传输；并透过堆叠完成更高频宽和更低推迟。此一办法削减基底芯片中所需的硅通孔数量，为主动元件释放了更多的面积，优化裸片尺度。 而台积电，则是提出「3D 多芯片与体系整合芯片」（SoIC）的整合计划。此项体系整合芯片解决计划将不同尺度、制程技能，以及材料的已知杰出裸晶直接堆叠在一同。 台积电说到，相较于传统运用微凸块的3D 积体电路解决计划，此一体系整合芯片的凸块密度与速度高出数倍，一同大幅削减功耗。此外，体系整合芯片是前段制程整合解决计划，在封装之前衔接两个或更多的裸晶；因而，体系整合芯片组可以运用该公司的InFO 或CoWoS 的后端先进封装技能来进一步整合其他芯片，打造一个强壮的「3D×3D」体系级解决计划。

　　此外，台积电亦推出3DFabric，将快速生长的3DIC 体系整合解决计划统合起来，供给更好的灵活性，透过安定的芯片互连打造出强壮的体系。藉由不同的选项进行前段芯片堆叠与后段封装，3DFabric 帮忙客户将多个逻辑芯片衔接在一同，乃至串联高频宽记忆体（HBM）或异构小芯片，例如类比、输入/输出，以及射频模组。3DFabric 可以结合后段3D 与前段3D 技能的解决计划，并能与电晶体微缩互补，继续进步体系效能与功用性，缩小尺度外观，而且加快产品上市时程。 在介绍完2.5D 和3D 之后，近来还有Chiplets 也是半导体工业抢手的先进封装技能之一；最终，就来简略阐明Chiplets 的特性和优势。 除了2.5D 和3D 封装之外，Chiplets 也是备受重视的技能之一。由于电子终端产品朝向高整合趋势开展，关于高效能芯片需求继续增加，但跟着摩尔定律逐步趋缓，在继续进步产品功用进程中，假如为了整合新功用芯片模组而增大芯片面积，将会面临本钱进步和低良率问题。因而，Chiplets 成为半导体工业因摩尔定律面临瓶颈所衍生的技能代替计划。

　　Chiplets 的概念最早源于1970 时代诞生的多芯片模组，其原理大致而言，便是由多个同质、异构等较小的芯片组成大芯片，也便是从本来规划在同一个SoC 中的芯片，被分拆成许多不同的小芯片分隔制作再加以封装或拼装，故称此分拆之芯片为小芯片Chiplets。 由于先进制程本钱急速上升，不同于SoC 规划办法，将大尺度的多中心的规划，涣散到较小的小芯片，更能满意如今的高效能运算处理器需求；而弹性的规划办法不只进步灵活性，也能有更好的良率及节约本钱优势，并削减芯片规划时程，加快芯片Time to market 时刻。

　　总而言之，曩昔的芯片效能都仰赖半导体制程的改然后进步，但跟着元件尺度越来越挨近物理极限，芯片微缩难度越来越高，要坚持小体积、高效能的芯片规划，半导体工业不只继续开展先进制程，一同也朝芯片架构着手改进，让芯片从原先的单层，转向多层堆叠。也因如此，先进封装也成为改进摩尔定律的要害推手之一，在半导体工业中引领风流。

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　　39既可作为重置移动设备的计时器，又可作为先进负载办理器材，用于需求高度集成解决计划的运用。若移动设备封闭，坚持/ SR0低电平（经过按下敞开键）2.3 s±20％可以敞开PMIC。作为一个重置计时器，FTL11639有一个输入和一个固定推迟输出。断开PMIC与电池电源的衔接400 ms±20％可生成7.5 s±20％的固定推迟。然后负荷开关再次翻开，从头衔接电池与PMIC，然后让PMIC按电源次序进入。衔接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚，可以自定义重置推迟。 特性 出厂已编程重置推迟：7.5 s 出厂已编程重置脉冲：400 ms 工厂自定义的导通时刻：2.3 s 出厂自定义关断推迟：7.3 s 经过一个外部电阻完成可调重置推迟（任选） 低I CCT 节约与低压芯片接口的功率 封闭引脚封闭负载开关，然后在发送和保存进程中坚持电池电荷。预备运用右侧输出 输入电压作业规模：1.2 V至5.5 V 过压维护：答应输入引脚

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　　4是一款精细5.0 V或12 V固定输出，低压差集成稳压器，输出电流才能为350 mA。细心办理轻负载电流耗费，结合低走漏进程，可完成30μA的典型静态电流。 输出电压准确到±2.0％，在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部维护，避免输入电源回转，输出过流毛病和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功用。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项，输出精度为2.0％，在整个温度规模内 十分合适监控新的微处理器和通讯节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满意100μA最大模块轿车制作商焚烧封闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下坚持输出电压调理。 5.5 V至45 V的宽输入电压作业规模 坚持乃至duri的监管ng load dump 内部毛病维护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节约本钱和空间，由于不需求外部设备 AEC-Q100合格 满意轿车资历要求 运用 终端产品 发动机操控模块 车身和底盘 动力总成 轿车 电路图、引脚图和封装图...

　　4C是一款精细3.3 V和5.0 V固定输出，低压差集成稳压器，输出电流才能为150 mA。细心办理轻负载电流耗费，结合低走漏进程，可完成22μA的典型静态电流。输出电压准确到±2.0％，在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部维护，避免输入电源反向，输出过流毛病和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功用。 NCV8664C与NCV4264，NCV4264-2，NCV4264-2C引脚和功用兼容，当需求较低的静态电流时可以替换这些器材。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 契合新车制作商最大模块静态电流要求（最大100μA）。 极低压降600 mV（最大值）150 mA负载电流 可以在低输入电压下发动时运转。 维护： -42 V反向电压维护短路维护热过载维护 在任何轿车运用中都不需求外部元件来完成维护。 5.0 V和3.3V固定输出电压，输出电压精度为2％ AEC-Q100 1级合格且PPAP才能 运用 终端产品 发动机操控模块 车身和底盘 动力总成 信息文娱，无线电 轿车 电路图、引脚图和封装图...

　　0B是一款精细极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA，十分合适需求低负载静态电流的轿车运用。复位和推迟时刻挑选等集成操控功用使其成为微处理器供电的抱负挑选。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压，可在±2％至150 mA负载电流规模内调理。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 十分合适为微处理器供电。 2％输出电压，最高VBAT = 40 V 坚持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 咱们广泛的轿车调理器产品组合答应您挑选合适您运用的轿车调理器。 推迟时刻挑选 为微处理器挑选供给灵活性。 重置输出 制止微处理器在低电压下履行未恳求的使命。 轿车的NCV前缀 契合轿车网站和改变操控& AEC-Q100资历要求。 低压差 在低输入电压下坚持输出电压调理（特别是在轿车起动进程中）。 典型值为28 uA的低静态电流 契合最新的轿车模块要求小于100uA。 热关机 维护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 维护设备不会因电流过大而在芯片上发生金属开路。 在空载条件下安稳 将体系静态电流坚持在最低极限。...

　　NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

　　5是一款精细5.0 V固定输出，低压差集成稳压器，输出电流才能为150 mA。细心办理轻负载电流耗费，结合低走漏进程，可完成30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容，当输出电流较低且需求十分低的静态电流时，它可以代替这些器材。输出电压准确到±2.0％，在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部维护，可避免45 V输入瞬变，输入电源回转，输出过流毛病和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功用。 特性 优势 5.0 V固定输出电压，输出电压精度为2％（3.3 V和2.5 V可依据要求供给） 可以供给最新的微处理器 最大40 A静态电流，负载为100uA 满意100μA最大模块轿车制作商焚烧封闭静态电流要求 维护： -42 V反向电压维护短路 在任何轿车运用中都不需求外部组件来启用维护。 AEC-Q100合格 契合主动资历认证要求 极低压降电压 运用 终端产品 发动机操控模块 车身和底盘 动力总成 轿车 电路图、引脚图和封装图...

　　4是一款精细5.0 V固定输出，低压差集成稳压器，输出电流才能为150 mA。细心办理轻负载电流耗费，结合低走漏进程，可完成典型的22μA静态接地电流。输出电压准确到±2.0％，在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部维护，避免输入电源回转，输出过流毛病和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功用。 NCV8664的引脚和功用与NCV4264和NCV4264-2兼容，当需求十分低的静态电流时，它可以代替这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会晤新车制作商最大模块静态电流要求（最大100μA）。 维护： -42 V反向电压维护短路维护热过载维护 在任何轿车运用中都不需求外部组件来启用维护。 极低压降电压 可以在低输入电压下发动时运转。 5.0 V和3.3V固定输出电压，2％输出电压精度 AEC-Q100合格 轿车 运用 车身和底盘 动力总成 发动机操控模块 信息文娱，无线电 电路图、引脚图和封装图...

　　NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

　　5是一款精细5.0 V和3.3 V固定输出，低压差集成稳压器，输出电流才能为350 mA。细心办理轻负载电流耗费，结合低走漏进程，可完成34μA的典型静态接地电流。 内部维护免受输入瞬态，输入电源回转，输出过流毛病和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可完成这些功用。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容，当需求十分低的静态电流时，它可以代替该器材。关于D 2 PAK-5封装，输出电压准确到±2.0％，关于DPAK-5封装，输出电压准确到±2.5％，在满额定负载电流下，最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压，输出电压精度为2％或2.5％ 可以供给最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满意100uA最大模块轿车制作商焚烧封闭静态电流要求 维护： -42 V反向电压维护短路 在任何轿车运用中都不需求外部组件来完成维护。 AEC-Q100 Qualifie d 契合主动资历认证要求 极低压降电压 运用 终端产品 发动机操控模块 车身和底盘 动力总成 轿车 电路图、引脚图和封装图...

　　4-2功用和引脚与NCV4264引脚兼容，具有更低的静态电流耗费。其输出级供给100 mA，输出电压精度为+/- 2.0％。在100 mA负载电流下，最大压差为500 mV。它具有内部维护，可避免45 V输入瞬变，输入电源回转，输出过流毛病和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功用。 特性 优势 最大60μA静态电流，负载为100μA 处于待机形式时可以节约电池寿数。 维护： - 42 V反向电压维护短路维护热过载维护 无需外部元件在任何轿车运用中都需求维护。 极低压差 可以在低输入电压下发动时运转。 5.0 V和3.3 V固定输出电压，输出电压精度为2％ AEC-Q100合格 运用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机操控模块 轿车 电路图、引脚图和封装图...

　　4是一款宽输入规模，精细固定输出，低压差集成稳压器，满载电流额定值为100 mA。输出电压准确到±2.0％，在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部维护免受45 V输入瞬变，输入电源回转，输出过流毛病和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功用。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0％输出电压精度 严厉的监管约束 十分低的停学 可以在低输入电压下发动时运转。 维护： -42 V反向电压维护短路维护热过载维护 在任何轿车运用中都不需求外部组件来启用维护。 AEC-Q100合格 契合轿车资历规范 运用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机操控模块 轿车 电路图、引脚图和封装图...

　　4-2C是一款低静态电流耗费LDO稳压器。其输出级供给100 mA，输出电压精度为+/- 2.0％。在100 mA负载电流下，最大压差为500 mV。它具有内部维护，可避免45 V输入瞬变，输入电源回转，输出过流毛病和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功用。 特性 优势 最大60μA静态电流，负载为100μ 在待机形式下节约电池寿数。 极低压降500 mV（ max）100 mA负载电流 可以在低输入电压下发动时运转。 毛病维护： -42 V反向电压维护短路/过流维护热过载维护 在任何轿车运用中都不需求外部组件来启用维护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压，输出电压精度为2％，在整个温度规模内 AEC-Q100合格 运用 终端产品 发动机操控模块 车身和底盘 动力总成 轿车 电路图、引脚图和封装图...

　　2是350 mA LDO稳压器，集成了复位功用，专用于微处理器运用。其巩固性使NCV8772可用于恶劣的轿车环境。超低静态电流（典型值低至24μA）使其适用于永久衔接到需求具有或不具有负载的超低静态电流的电池的运用。当焚烧开关封闭时，模块坚持活动形式时，此功用特别重要。 Enable功用可用于进一步下降关断形式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流约束，热关断和反向输出电流维护等维护功用。 特性 优势 固定输出电压为5 V 十分合适为微处理器供电。 2％输出电压上升至Vin = 40 V 经过负载突降坚持稳压电压。 输出电流高达350 mA 咱们广泛的轿车调理器产品组合答应您挑选合适您运用的轿车调理器。 RESET输出 制止微处理器在低电压下履行未恳求的使命。 轿车的NCV前缀 契合轿车现场和改变操控& AEC-Q100资历要求。 低压差 在低输入电压下坚持输出电压调理（特别是在轿车起动进程中）。 超低静态电流24μA典型 契合最新的轿车模块要求小于100μA。 热关机 维护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 维护设备不会因电流过...

　　0是350 mA LDO稳压器，集成了复位功用，专用于微处理器运用。其巩固性使NCV8770可用于恶劣的轿车环境。超低静态电流（典型值低至21μA）使其适用于永久衔接到需求具有或不具有负载的超低静态电流的电池的运用。当焚烧开关封闭时，模块坚持活动形式时，此功用特别重要。 NCV8770包含电流约束，热关断和反向输出电流维护等维护功用。 特性 优势 固定输出电压为5 V 十分合适为微处理器供电。 2％输出电压上升至Vin = 40 V 经过负载突降坚持稳压电压。 输出电流高达350 mA 咱们广泛的轿车调理器产品组合答应您挑选合适您运用的轿车调理器。 RESET输出 制止微处理器在低电压下履行未恳求的使命。 轿车的NCV前缀 契合轿车现场和改变操控& AEC-Q100资历要求。 低压差 在低输入电压下坚持输出电压调理（特别是在轿车起动进程中）。 典型值为21μA的超低静态电流 契合最新的轿车模块要求小于100μA。 热关机 维护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 维护设备不会因电流过大而在芯片上发生金属开路。 十分广泛的Cout和E...

　　MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电路，包含许多依据微处理器的体系所需的监控功用。它专为设备和工业运用而规划，为规划人员供给了经济高效的解决计划，只需很少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器，具有短路电流约束，固定输出2.6 V带隙基准，低电压复位比较器，带可编程迟滞的电源正告比较器，以及非专用比较器，十分合适微处理器线路同步。 其他功用包含用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温维护的内部热关断。 这些线引脚双列直插式热片封装，可进步导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超越100 mA 内部短路电流约束 固定2.6 V参阅 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源正告比较器 未提交的比较器 低待机当时 内部热关断维护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

　　80是一款用于移动电源运用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压，一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装（WLCSP） 可编程输出电压 软发动（SS）浪涌电流约束 可编程发动/降压排序 中止陈述的毛病维护 低电流待机和关机形式 降压转化器：1.2A，VIN规模： 2.5V至5.5V，VOUT规模：0.6V至3.3V 升压转化器：1.0A，VIN规模：2.5V至5.5V，VOUT规模：3.0V至5.7V 四个LDO：300mA，VIN规模：1.9V至5.5V，VOUT规模：0.8V至3.3V 运用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...

　　1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调理器，具有高效率，1.5 A集成开关。该器材可在2.7 V至30 V的宽输入电压规模内作业。该规划的灵活性使芯片可在大多数电源装备中运转，包含升压，反激，正激，反相和SEPIC。该IC选用电流形式架构，可完成超卓的负载和线路调理，以及约束电流的有用办法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合，可完成极端紧凑的电源解决计划。电路规划包含用于正电压调理的频率同步，关断和反应操控等功用。这些器材与LT1372 / 1373引脚兼容，是CS5171和CS5173的轿车版别。 特性 内置过流维护 宽输入规模：2.7V至30V 高频答应小组件 最小外部组件 频率折返削减过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关：1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于轿车和其他运用需求站点和操控更改的ons CS5171和CS5173的轿车版别 电路图、引脚图和封装图...

　　是一款线 mA输出电流。 NCP161器材旨在满意RF和模仿电路的要求，可供给低噪声，高PSRR，低静态电流和十分好的负载/线路瞬态。该器材规划用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P，0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装（CSP），XDFN-4 0.65P，1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 相似产品：

　　是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图画传感器，有源像素阵列为2592（H）x 1944（V）。它经过翻滚快门读数捕获线性或高动态规模形式的图画，并包含杂乱的相机功用，如分档，窗口以及视频和单帧形式。它专为低亮度和高动态规模功用而规划，具有线读出功用，可在ISP芯片中支撑片外HDR。 AR0521可以发生十分明晰，锋利的数字图画，而且可以捕获接连视频和单帧，使其成为安全运用的最佳挑选。 特性 5 Mp为60 fps，具有超卓的视频功用 小型光学格局（1 / 2.5英寸） 1440p 16：9形式视频 杰出的低光功用 2.2 m反面照明像素技能 支撑线读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支撑外部机械快门 片上锁相环（PLL）振荡器 集成色彩和镜头暗影校对 准确帧率操控的隶属形式 数据接口：♦HiSPi（SLVS） - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 主动黑电平校准 高速可装备上下文切换 温度传感器 快速形式兼容2线接口 运用 终端产品 视频监控 高动态规模成像 安全摄像头 举动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...